NGHIÊN CỨU QUY TRÌNH CHẾ TẠO BIẾN TỬ ÁP ĐIỆN DẠNG ĐĨA CÓ ĐƯỜNG KÍNH 30mm TRÊN NỀN GỐM PZTNS
https://doi.org/10.64302/joshusc.v30n1c.1277
Dụng Thị Hoài Trang, Lê Thị Liên Phương, Trần Thành Văn, Lê Trần Uyên Tú, Võ Thanh Tùng
Email: tuletranuyen@hueuni.edu.vn, vttung@hueuni.edu.vn
Trong nghiên cứu này, chúng tôi đã sử dụng hệ vật liệu Pb(Zr0,525Ti0,475)0,970Nb0,024Sb0,006O3 (PZTNS) để chế tạo thành công các biến tử áp điện dạng đĩa bằng phương pháp phản ứng pha rắn. Kết quả thực nghiệm cho thấy, các biến tử áp điện dạng đĩa có kích thước 30 mm được thiêu kết ở nhiệt độ 1150 oC trong 2 giờ có cấu trúc đơn pha, độ kết tinh cao, tỷ trọng lớn (r = 7,75 g/ cm3) và kích thước hạt trung bình từ 0,27 đến 1,03 µm. Kết quả nghiên cứu các tính chất áp điện của biến tử cho thấy hệ số liên kết điện cơ cao (kp = 0,66, kt = 0,50), hệ số áp điện lớn (d33 = 452 pC/N) và Df lớn với tần số cộng hưởng khoảng 68 kHz có thể ứng dụng được trong trong lĩnh vực siêu âm và thủy âm.
mucluc.pdf
