Các tấm Bimust titanate Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT) được tổng hợp bằng phương pháp muối nóng chảy trong hỗn hợp muối NaCl-KCl và sử dụng hỗn hợp bột oxit Bi₂O₃, TiO₂ làm nguyên liệu ban đầu. Các tấm BIT được hình thành và phát triển lớn hơn khi thiêu kết ở các nhiệt độ khác nhau từ 1000^oC-1150^oC. Ở nhiệt độ thiêu kết 1100 ^oC, hạt giống tấm BIT phát triển tốt nhất và có hình dạng tấm rõ ràng với đường kính trung bình khoảng 8-11µm và độ dày khoảng 0.4µm. Ảnh hưởng của nhiệt độ thiêu kết đến cấu trúc, vi cấu trúc của các hạt giống tấm BIT đã được lý giải.