NGHIÊN CỨU XÁC ĐỊNH LƯỢNG VẾT CHÌ BẰNG KỸ THUẬT VON – AMPE HÒA TAN ANOT XUNG VI PHÂN MÀNG BISMUT IN SITU

Nguyễn Mậu Thành, Nguyễn Đình Luyện, Mai Xuân Tịnh, Nguyễn Anh Thư, Nguyễn Văn Hợp

Tập 13, Số2
Thời gian xuất bản: 12/2018
Mục lục: mucluc.pdf
Email: thanhhk18@gmail.com
Tóm tắt

Điện cực màng bismut in situ trên nền đĩa rắn than thủy tinh được dùng với kỹ thuật von-ampe hòa tan anot xung vi phân để xác định vết chì (Pb) trong nền đệm axetat (pH = 6). Các yếu tố ảnh hưởng đến dòng đỉnh hòa tan (Ip) của Pb như: nồng độ BiIII, pH, thế và thời gian điện phân làm giàu, tốc độ quay điện cực, các chất cản trở… cũng đã được khảo sát. Ở  thế điện phân làm giàu -1200 mV, thời gian điện phân làm giàu 120s và các thông số khácđã đạt được độ nhạy cao (0,22 ± 0,01μA/ppb), độ lặp lại tốt của Ip : RSD = 1,6% (n = 8), giới hạn phát hiện thấp (2,78 ppb); giữa Ip và nồng độ kim loại có tương quan tuyến tính tốt trong khoảng 2,5 – 25 ppb với R ≥ 0,995.

Từ khóa
Điện cực màng bismut, chì, kỹ thuật von-ampe hòa tan anot xung vi phân