Trong bài báo này, hiện tượng phách lượng tử của exciton trong chấm lượng tử hình ê-líp dạng dẹt InN/GaN được nghiên cứu bằng lý thuyết hàm sóng tái chuẩn hóa. Chúng tôi áp dụng mô hình ba mức exciton gồm một mức ở trạng thái cơ bản và hai mức kích thích được liên kết bởi một laser bơm mạnh cộng hưởng. Khi có tác dụng của laser bơm, chúng tôi đã quan sát thấy dấu hiệu tồn tại hiện tượng phách lượng tử của exciton thông qua sự xuất hiện dao động tuần hoàn trong phổ cường độ hấp thụ của exciton. Ngoài ra, sự ảnh hưởng mạnh của tỉ số các bán trục và độ lệch cộng hưởng của sóng bơm lên các đặc trưng của hiện tượng phách lượng tử của exciton cũng được khảo sát chi tiết.