Trong bài báo này, phổ hấp thụ của exciton trong chấm lượng tử dạng đĩa GaAs/AlAs với thế giam giữ sâu vô hạn đã được khảo sát lý thuyết bằng phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa. Phổ hấp thụ của exciton đã được nghiên cứu thông qua việc tính toán các tốc độ chuyển dời quang liên vùng giữa mức thấp nhất của lỗ trống và mức thấp nhất của điện tử. Các kết quả tính số chỉ ra rằng dưới tác dụng của laser bơm mạnh cộng hưởng thì trong phổ hấp thụ của exciton xuất hiện hai đỉnh hấp thụ mới. Hơn nữa, các đỉnh hấp thụ này có xu hướng dịch chuyển về vùng năng lượng thấp tương ứng với dịch chuyển đỏ khi tăng bán kính của chấm.