Trong bài báo này, chúng tôi trình bày một phương pháp mới để chế tạo đầu dò tán xạ Raman tăng cường bề mặt (SERS) trên nền vật liệu đa lớp silic xốp (PSM) sử dụng phương pháp khử nhiệt. Cấu trúc PSM được lắng đọng các hạt nano bạc (AgNPs) sâu bên trong các lỗ xốp có khả năng khuếch đại tín hiệu tán xạ Raman cao nhờ diện tích bề mặt rộng và thời gian tương tác vật chất ánh sáng dài tạo ra tín hiệu SERS lớn giúp phát hiện các chất cần phân tích với độ nhạy cao. Đế SERS với hiệu suất tăng cường cao được sử dụng để phát hiện các phân tử chất màu xanh methyl (MB) với khoảng nồng độ 10^-4M÷10^-12M. Hệ số tăng cường của đế SERS đạt khoảng 2x10⁸ tại nồng độ 10^-8M của dung dịch MB. Giới hạn phát hiện các phân tử chất màu MB đạt được 10^-10M. Kết quả này mở ra triển vọng mới trong lĩnh vực cảm biến khi sử dụng đế SERS trên nền vật liệu silic xốp và phát triển công cụ cảm biến cho các thiết bị tích hợp trên chip.