Chúng tôi đề xuất một thiết bị có khả năng kết hợp đồng thời hai kỹ thuật ghép kênh theo bước sóng (WDM) và ghép kênh theo mode (MDM) dựa trên nền vật liệu SOI (Silicon on Insulator). Thiết kế gồm hai bộ giao thoa đa mode MMI cải tiến ghép nối với một bộ ghép nối định hướng hình chữ Y để tạo nên một bộ ghép kênh hai bước sóng (1310 nm và 1490 nm) và hai mode (TE0 và TE1). Thông qua phương pháp truyền chùm tia ba chiều 3D-BPM và phương pháp chỉ số hiệu dụng EIM, thiết bị đề xuất đã chứng minh được khả năng hoạt động trong độ rộng băng lên đến 40 nm với hiệu suất chuyển đổi quang luôn đạt gần 60%. Tại bước sóng trung tâm 1310 nm và 1490 nm, hiệu suất chuyển đổi quang luôn đạt trên 96% và nhiễu ảnh hưởng giữa các kênh luôn nhỏ hơn 1% ở tất cả các trường hợp được khảo sát. Cấu trúc thiết kế này mở ra một hướng nghiên cứu mới kết hợp giữa kỹ thuật WDM và MDM để tăng dung lượng kênh truyền cho hệ thống thông tin quang trên chip.