Chúng tôi đề xuất một chip quang học dựa trên vật liệu Silic có khả năng ghép kênh/phân kênh phân chia theo mode bằng cách ghép tầng các ống dẫn sóng Y – Junctions bất đối xứng. Tín hiệu đầu vào là các mode cơ bản phân cực điện TE0 được ghép kênh và chuyển đổi thành các mode bậc cao hơn TE0, TE1, TE2, TE3 và TE4 ở cổng đầu ra. Thiết bị được thiết kế và tối ưu dựa trên phần mềm mô phỏng số truyền chùm tia 3 chiều (BPM-3D – Beam Propagation Method) kết hợp với phương pháp chỉ số hiệu dụng (EIM - Effective Index Method). Thiết bị thực hiện thành công việc ghép kênh 5 mode trên một dải băng rộng từ 1.05 µm đến 1.6 µm với suy hao chèn luôn nhỏ hơn 0.1 dB và nhiễu xuyên kênh luôn dưới -10 dB. Với các đặc điểm nổi trội nêu trên, chúng tôi hy vọng, thiết bị sẽ được ứng dụng rộng rãi trong các hệ thống ghép kênh phân chia theo mode tốc độ cao cũng như trong các mạch tích hợp quang tử trên chip.