Trong pin mặt trời dị thể silic vô định hình/silic tinh thể (a-Si:H/c-Si), độ cao rào thế Schottky hoặc điện trở tiếp xúc tại tiếp giáp trường mặt sau (BSF)/ITO gây ảnh hưởng lên hệ số lấp đầy (FF) và sau đó là hiệu suất chuyển đổi (h) của pin mặt trời. Do vậy, để giảm độ cao rào thế Schottky hoặc điện trở tiếp xúc, độ dẫn điện của lớp BSF phải lớn. Trong nghiên cứu này, để đồng thời đạt được độ điện của lớp BSF cao, trong khi không phát sinh khuyết tật bên trong cấu trúc mạng, lớp silic đa tinh thể, µc-Si:H(n+), sẽ được sử dụng (thay vì lớp silic vô định hình truyền thống, a-Si:H(n+)) để chế tạo lớp BSF. Khi độ tinh thể hóa của màng µc-Si:H(n+) tăng từ 6% lên 89%, độ dẫn điện của màng (sd) tăng từ 0.16 (S/cm) lên 4.16 (S/cm). Tứ kết quả nghiên cứu có thể kết luận rằng FF của pin mặt trời phụ thuộc vào điện trở tiếp xúc tại tiếp giáp µc-Si:H(n+)/ITO, bất chấp giá trị của rào thế Schottky. Do đó, có thể kết luận rằng điện trở tiếp xúc tại tiếp giáp mặt sau là yếu tố chính ảnh hưởng lên FF của pin mặt trời. Pin mặt trời dị thể silic sử dụng µc-Si:H(n+) có độ tinh thể hóa ~60% làm lớp BSF cho hiệu suất chuyển đổi > 20%, với thế hở mạch ~ 700 mV.